Vertical and lateral GaN rectifiers on free-standing GaN substrates

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题名:	Vertical and lateral GaN rectifiers on free-standing GaN substrates
作者:	Zhang,AP;Johnson,JW;Luo,B;Ren,F;Pearton,SJ;Park,SS;Park,YJ;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	HIGH-POWER APPLICATIONS;VAPOR-PHASE-EPITAXY;SCHOTTKY RECTIFIERS;BREAKDOWN VOLTAGE;DEVICES;DEPENDENCE
日期:	2001
上传时间:	2010-07-06 18:34:55 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Edge-terminated Schottky rectifiers fabricated on quasibulk GaN substrates showed a strong dependence of reverse breakdown voltage V-B on contact dimension and on rectifier geometry (lateral versus vertical). For small diameter (75 mum) Schottky contacts,
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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