Effects of thermal annealing on the luminescence and structural properties of high indium-content InGaN/GaN quantum wells

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題名:	Effects of thermal annealing on the luminescence and structural properties of high indium-content InGaN/GaN quantum wells
作者:	Chuo,CC;Lee,CM;Nee,TE;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	CONTINUOUS-WAVE OPERATION;LASER-DIODES;GAN;DOTS
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-06 18:35:22 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Postgrowth thermal annealing was applied to investigate the optical and structural properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells with high InN mole fraction. Thermal annealing at 900 degrees C results in a twentyfold increase of the integrated photol
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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