Ellipsometric study of the optical properties of InGaAsN layers

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題名:	Ellipsometric study of the optical properties of InGaAsN layers
作者:	Li,PW;Guang,HC;Li,NY
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;DIELECTRIC FUNCTIONS;LASER-DIODES;GAAS;OPERATION;INP;GAP
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-06 18:35:30 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the optical properties of the quaternary compound semiconductor, InxGa1-xAs1-yNy, with various indium and nitrogen contents. The refractive indices of InxGa1-xAs1-yNy epilayers were systematically studied by variable angle spectroscopic ellipsom
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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