High Schottky barrier Al0.5In0.5P/InGaAs doped-channel HFETs with superior microwave power performance

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題名:	High Schottky barrier Al0.5In0.5P/InGaAs doped-channel HFETs with superior microwave power performance
作者:	Chiu,HC;Yang,SC;Chan,YJ;Kuo,JM
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-06 18:35:39 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Al0.5In0.5P/In0.15Ga0.85As doped-channel HFETs (DCFETs) are expected to have a high linearity and a high breakdown voltage for microwave power device applications due to the improvement of a larger DeltaE(c) (0.45eV) and a wide bandgap AIInP Schottky laye
關聯:	ELECTRONICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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