Molecular beam epitaxy regrowth and device performance of GaAs-based pseudomorphic high electron mobility transistors using a thin indium passivation layer

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题名:	Molecular beam epitaxy regrowth and device performance of GaAs-based pseudomorphic high electron mobility transistors using a thin indium passivation layer
作者:	Chen,SS;Lin,CC;Peng,CK;Chan,YJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	MBE
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:36:03 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Using the technique of molecular beam epitaxy, an indium passivation layer as thin as several tens of Angstrom was implemented to protect underlying III-V epilayers from carbon and oxygen contamination. After the subsequent desorption of the passivation l
關聯:	JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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