Temperature dependence of GaN high breakdown voltage diode rectifiers

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题名:	Temperature dependence of GaN high breakdown voltage diode rectifiers
作者:	Chyi,JI;Lee,CM;Chuo,CC;Cao,XA;Dang,GT;Zhang,AP;Ren,F;Pearton,SJ;Chu,SNG;Wilson,RG
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	FIELD-EFFECT TRANSISTORS;SCHOTTKY-BARRIER DIODES;HIGH-POWER DEVICES
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:36:54 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The temperature dependence of reverse breakdown voltage (V-RB) and forward turn-on voltage (V-F) of GaN Schottky diode rectifiers is reported. The VRB values display a negative temperature coefficient (-0.92 V K-1 for 25-50 degrees C; -0.17 V K-1 for 50-1
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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