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    題名: Fano interference effect on the transition spectrum of single-electron transistors
    作者: Kuo,DMT
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: ELECTROMAGNETICALLY INDUCED TRANSPARENCY;GERMANIUM QUANTUM-DOT;TURNSTILE DEVICE;COULOMB-BLOCKADE;ENERGY
    日期: 2006
    上傳時間: 2010-07-07 09:56:01 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: We theoretically study the intraband transition spectrum of single-electron transistors (SETs) composed of individual self-assembled quantum dots. The polarization of SETs is obtained by using the nonequilibrium Green's function technique and the Anderson
    關聯: PHYSICAL REVIEW B
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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