Growth of low density InGaAs quantum dots for single photon sources by metal-organic chemical vapour deposition

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题名:	Growth of low density InGaAs quantum dots for single photon sources by metal-organic chemical vapour deposition
作者:	Hsieh,TP;Chang,HS;Chen,WY;Chang,WH;Hsu,TM;Yeh,NT;Ho,WJ;Chiu,PC;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	FLUORESCENCE
日期:	2006
上传时间:	2010-07-07 09:56:07 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the preparation of low density self-assembled InGaAs on GaAs grown by metal-organic chemical vapour deposition for single photon sources. Through using a set of optimized growth parameters, including the arsine partial pressure, total coverage o
關聯:	NANOTECHNOLOGY
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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