Pinholelike defects in multistack 1.3 mu m InAs quantum dot laser

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题名:	Pinholelike defects in multistack 1.3 mu m InAs quantum dot laser
作者:	Liu,WS;Chang,HL;Liu,YS;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	INFRARED PHOTODETECTOR;TEMPERATURE;EMISSION;OVERGROWTH;STRAIN;MATRIX
日期:	2006
上传时间:	2010-07-07 09:56:18 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The pinholelike defects often observed in multistack InAs quantum dot structures on GaAs have been investigated comprehensively. Due to the high surface stress of InAs quantum dots, the overgrowth of GaAs and InGaAs capping layers on InAs quantum dots is
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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