Room-temperature transient carrier transport in germanium single-hole/electron transistors

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題名:	Room-temperature transient carrier transport in germanium single-hole/electron transistors
作者:	Liao,WM;Li,PW;Kuo,DMT;Lai,WT
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 09:56:23 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report the experimental observation of transient carrier transports at room temperature in a Ge quantum-dot (QD) single-hole transistor (SHT) and single-electron transistor (SET). In addition to room-temperature Coulomb oscillations, hysteresis effects
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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