Si-diffused GaN for enhancernent-mode GaN MOSFET on Si applications

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32727

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32727

题名:	Si-diffused GaN for enhancernent-mode GaN MOSFET on Si applications
作者:	Jang,S;Ren,F;Pearton,SJ;Gila,BP;Hlad,M;Abernathy,CR;Yang,H;Pan,CJ;Chyi,JI;Bove,P;Lahreche,H;Thuret,J
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	FIELD-EFFECT-TRANSISTORS;INSULATOR-SEMICONDUCTOR STRUCTURES;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;N-TYPE GAN;INVERSION BEHAVIOR;ELECTRICAL CHARACTERIZATION;GATE OXIDE;DIODES;PERFORMANCE;INTERFACE
日期:	2006
上传时间:	2010-07-07 09:56:27 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Si diffusion into GaN was studied as a function of encapsulant type (SiO2 or SiNx) and diffusion temperature. Using a SiO2 encapsulant, the Si diffusion exhibited an activation energy of 0.57 eV with a prefactor of 2.07 X 10(-4) cm(2) sec(-1) in the tempe
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	770	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing