Growth of gamma-In2Se3 films on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition with different temperatures

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题名:	Growth of gamma-In2Se3 films on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition with different temperatures
作者:	Huang,Yen-Chin;Li,Zhen-Yu;Uen,Wu-Yih;Lan,Shan-Ming;Chang,K. J.;Xie,Zhi-Jay;Chang,J. Y.;Wang,Shing-Chung;Shen,Ji-Lin
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;THIN-FILMS;SOLAR-CELLS;IN2SE3
日期:	2008
上传时间:	2010-07-07 14:06:24 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In2Se3 films were deposited on the p(+)-Si(1 1 1) substrates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) for the first time at temperatures higher than 500 degrees C. Trimethyl indium (TMI) and H2Se were used as the source reactants with the flow r
關聯:	JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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