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    題名: Growth of InN on Si (111) by atmospheric-pressure metal-organic chemical vapor deposition using InlN double-buffer layers
    作者: Li,Zhen-Yu;Lan,Shan-Ming;Uen,Wu-Yih;Chen,Ying-Ru;Chen,Meng-Chu;Huang,Yu-Hsiang;Ku,Chien-Te;Liao,Sen-Mao;Yang,Tsun-Neng;Wang,Shing-Chung;Chi,Gou-Chung
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: MOLECULAR-BEAM EPITAXY;FUNDAMENTAL-BAND GAP;INDIUM NITRIDE;HEXAGONAL INN;WURTZITE INN;MOVPE INN;RF-MBE;FILMS;SI(111);TEMPERATURE
    日期: 2008
    上傳時間: 2010-07-07 14:06:26 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Indium nitride (InN) epilayers have been successfully grown on Si (111) substrates with low-temperature (450 degrees C) grown InN and high-temperature (1050 degrees C) grown AlN (InlN) double-buffer layers by atmospheric-pressure metal-organic chemical
    關聯: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
    顯示於類別:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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