Direct fabrication of large-grain polycrystalline silicon thin films by RF-biased RF-PECVD at low temperature

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題名:	Direct fabrication of large-grain polycrystalline silicon thin films by RF-biased RF-PECVD at low temperature
作者:	Gu RD;Chen PL
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION;SOLID-PHASE;TRANSISTORS;PLASMA;GROWTH;POLYSILICON;TFTS;TIME
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 14:09:42 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Polycrystalline silicon (Poly-Si) films with large gains are successfully fabricated on glasses in a self-assembled RF-biased RF-PECVD tubular system. Both inductively coupled and capacitively coupled RF powers are employed. High purity (99.99%) SiH4, H-2
關聯:	THIN SOLID FILMS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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