Improvement of near-ultraviolet nitride-based light emitting diodes with mesh indium tin oxide contact layers

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題名:	Improvement of near-ultraviolet nitride-based light emitting diodes with mesh indium tin oxide contact layers
作者:	Kuo,C. H.;Chen,C. M.;Kuo,C. W.;Tun,C. J.;Pan,C. J.;Pong,B. J.;Chi,G. C.
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	ITO TRANSPARENT CONTACT;GAN;LEDS
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 14:10:21 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The authors have demonstrated nitride-based near-ultraviolet (NUV) light emitting diodes (LEDs) with mesh indium tin oxide (ITO) contact layer. With 20 mA injection current, it was found that forward voltages were 3.94 and 4.05 V while the output powers w
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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