English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41645159      線上人數 : 1258
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35325


    題名: Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers prepared at various temperatures
    作者: Kuo,C. H.;Kuo,C. W.;Chen,C. M.;Pong,B. J.;Chi,G. C.
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: QUATERNARY EPILAYERS;GAN;EFFICIENCY;LEDS
    日期: 2006
    上傳時間: 2010-07-07 14:10:33 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The authors have prepared bulk p-AlInGaN layers and light-emitting diodes (LEDs) with p-AlInGaN surface layers by metal organic chemical vapor deposition. They found that the surfaces of the LEDs with p-AlInGaN layers are rough with high density of hexago
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    顯示於類別:[光電科學與工程學系] 期刊論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML378檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明