Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers prepared at various temperatures

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題名:	Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers prepared at various temperatures
作者:	Kuo,C. H.;Kuo,C. W.;Chen,C. M.;Pong,B. J.;Chi,G. C.
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	QUATERNARY EPILAYERS;GAN;EFFICIENCY;LEDS
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 14:10:33 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The authors have prepared bulk p-AlInGaN layers and light-emitting diodes (LEDs) with p-AlInGaN surface layers by metal organic chemical vapor deposition. They found that the surfaces of the LEDs with p-AlInGaN layers are rough with high density of hexago
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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