Diffusion barrier of sputtered W film for Cu Schottky contacts on InGaP layer

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题名:	Diffusion barrier of sputtered W film for Cu Schottky contacts on InGaP layer
作者:	Lee,CT;Liu,DS;Deng,RW
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	INGAP/GAAS/INGAP MSM PHOTODETECTORS;ELECTRICAL-PROPERTIES;THERMAL RELIABILITY;FAILURE-MECHANISM;COPPER;SILICON;CU/AU;GAAS;MICROSTRUCTURE;MULTILAYERS
日期:	2004
上传时间:	2010-07-07 14:12:43 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	To improve the thermal stability of Schottky performances, a refractory diffusion barrier layer of W is used for impeding the indiffusion of Cu into the JnGaP layer. From the atomic force microscopy measurements for W/Cu Schottky contacts to the InGaP lay
關聯:	THIN SOLID FILMS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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