Nitride-based LEDs with modulation-doped Al0.12Ga0.88N-GaN superlattice structures

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題名:	Nitride-based LEDs with modulation-doped Al0.12Ga0.88N-GaN superlattice structures
作者:	Wen,TC;Chang,SJ;Lee,CT;Lai,WC;Sheu,JK
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	LIGHT-EMITTING-DIODES;QUANTUM-WELL BLUE;INGAN-GAN;CONTACT;ITO
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-07 14:13:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Modulation doped Al0.12Ga0.88N-GaN superlattice structures were used to spread pulse current in nitride-based light emitting diodes (LEDs). Although the 20-mA electroluminescence (EL) intensity of the LEDs with modulation-doped AlGaN-GaN superlattice stru
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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