Fabry-Perot structures for attenuated phase-shifting mask application in ArF and F-2 lithography

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題名:	Fabry-Perot structures for attenuated phase-shifting mask application in ArF and F-2 lithography
作者:	Chen,HL;Wu,HS;Lee,CC;Ko,FH;Fan,W;Hsieh,CI
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	157 NM;ULTRAVIOLET
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 14:14:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We demonstrate a structure for an attenuated phase-shifting mask (APSM) which is based on a three-layer Fabry-Perot structure for ArF (193 nm) and F-2 (157 run) excimer laser based lithographies. The APSM structure is composed of a metal/dielectric/metal
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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