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    題名: Investigation of degradation for ohmic performance of oxidized Au/Ni/Mg-doped GaN
    作者: Lin,YJ;Li,ZD;Hsu,CW;Chien,FT;Lee,CT;Shao,ST;Chang,HC
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: P-TYPE GAN;CONTACTS
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-07 14:14:39 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The mechanism of ohmic contact degradation for the oxidized Au/Ni/Mg-doped GaN under various annealing times has been investigated. According to the results from x-ray photoelectron spectroscopy and the Cserveny's concept, we found that an increase of hol
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    顯示於類別:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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