Investigation of degradation mechanism of Schottky diodes

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題名:	Investigation of degradation mechanism of Schottky diodes
作者:	Lee,HY;Lee,CT
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	ELECTRONIC BAND-STRUCTURE;FIELD-EFFECT TRANSISTORS;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;GAAS;BARRIER;MESFET;HEMTS;LAYER
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 14:14:42 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Schottky diode performance is influenced by fabrication processes. We present a model to investigate the dependence of Schottky diode performance on the fabrication process. To remove the native oxide layer, the In-0.5(Al0.66Ga0.34)(0.5)P surface was etch
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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