Thermal annealing effects on the optical gain of InGaN/GaN quantum well structures

NCU Institutional Repository > 理學院 > 光電科學與工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/35456

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35456

题名:	Thermal annealing effects on the optical gain of InGaN/GaN quantum well structures
作者:	Chen,CC;Hsueh,TH;Ting,YS;Chi,GC;Chang,CA;Wang,SC
贡献者:	光電科學與工程學系
关键词:	P-TYPE GAN;WURTZITE GAN;EMISSION;DEFECTS;CONTACT;INN
日期:	2003
上传时间:	2010-07-07 14:15:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this work, the variation of the optical gain in the InGaN/GaN quantum well after thermal annealing is simulated. The potential profile change of the quantum well resulting from the interdiffusion of Ga and In atoms across the interface of the well and
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	531	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing