Low-resistance Ni/Au ohmic contact to Mg-doped of Al0.15Ga0.85N/GaN superlattices

NCU Institutional Repository > 理學院 > 光電科學與工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/35508

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35508

題名:	Low-resistance Ni/Au ohmic contact to Mg-doped of Al0.15Ga0.85N/GaN superlattices
作者:	Kuo,CH;Sheu,JK;Chi,GC;Huang,YL;Yeh,TW
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	P-TYPE GAN;FIELD-EFFECT TRANSISTOR;SINGLE-CRYSTAL GAN;N-TYPE GAN;ELECTRICAL-PROPERTIES;WORK-FUNCTIONS;PERFORMANCE;FILMS;CA
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 14:34:28 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Electrical properties of Ni (6 nm)/Au (14 nm) contacts to Mg-doped strained layer Al0.15Ga0.85N/GaN supel lattices have been analyzed. The hole concentration and mobility are around 1 x 10(18) cm(3) and 10 cm(2)/V s, respectively. Hall effect measurements
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	532	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing