Laser-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride thin film

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題名:	Laser-assisted plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon nitride thin film
作者:	Tsai,HS;Jaw,GJ;Chang,SH;Cheng,CC;Lee,CT;Liu,HP
貢獻者:	光電科學與工程學系
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-07 14:35:31 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Hydrogenated amorphous silicon-nitride (a-Si-N-x:H) films with low hydrogen content were deposited using a CO2 laser-assisted PECVD, or LAPECVD system. This system was based upon a conventional capacitive RF (13.56 MHz) discharge to dissociate both ammoni
關聯:	SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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