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    題名: Ohmic performance comparison for Ti/Ni/Au and Ti/Pt/Au on InAs/graded InGaAs/GaAs layers
    作者: Lyu,YT;Jaw,KL;Lee,CT;Tsai,CD;Lin,YJ;Cherng,YT
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: MOLECULAR-BEAM EPITAXY;CONTACTS;RESISTANCE;INAS/INGAAS
    日期: 2000
    上傳時間: 2010-07-07 14:35:45 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Metallization systems of Ti/Ni/Au and Ti/Pt/Au were deposited onto InAs/graded InGaAs/GaAs epitaxial layers grown on GaAs substrate. Both of them exhibit good nonalloyed specific contact resistance of 1.0 x 10(-6) and 3.0 x 10(-6) Ohm cm(2) for Ti/Pt/Au a
    關聯: MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
    顯示於類別:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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