GaN, ZnO and InN nanowires and devices

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/38183

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38183

題名:	GaN, ZnO and InN nanowires and devices
作者:	Pearton,S. J.;Kang,B. S.;Gila,B. P.;Norton,D. P.;Kryliouk,O.;Ren,F.;He,Young-Woo;Chang,Chih-Yang;Chi,Gou-Chung;Wang,Wei-Ming;Chen,Li-Chyong
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;GALLIUM NITRIDE NANOWIRES;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;INDIUM NITRIDE;SELECTIVE DETECTION;ROOM-TEMPERATURE;BUILDING-BLOCKS;TRANSPORT-PROPERTIES;CARBON NANOTUBES;CATALYTIC GROWTH
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-08 13:19:31 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A brief review is given of recent developments in wide bandgap semiconductor nanowire synthesis and devices fabricated on these nanostructures. There is strong interest in these devices for applications in UV detection, gas sensors and transparent electro
關聯:	JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY????
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	456	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing