Phosphor-free GaN-based transverse junction white-light light-emitting diodes with regrown n-type regions

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/38226

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38226

題名:	Phosphor-free GaN-based transverse junction white-light light-emitting diodes with regrown n-type regions
作者:	Shi,J. -W.;Chen,C. -C.;Wang,C. -K.;Lin,C. -S.;Shen,J. -K.;Lai,W. -C.;Kuo,C. -H.;Tun,C. -J.;Yang,T. -H.;Tsao,F-C.;Chyi,J. -I
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	GENERATION;EMISSION
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-08 13:20:46 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, we demonstrate a GaN-based phosphor-free white-light light-emitting diode (LED), which is composed of GaN-based dual-wavelength (blue and yellow-green) multiple-quantum-wells (MQWs) and a transverse p-n junction. The device was realized by
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS????
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	382	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing