Fabrication of hybrid n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN light-emitting diodes

NCU Institutional Repository > 理學院 > 物理研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/38466

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/38466

題名:	Fabrication of hybrid n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN light-emitting diodes
作者:	Yang,HS;Han,SY;Heo,YW;Baik,KH;Norton,DP;Pearton,SJ;Ren,F;Osinsky,A;Dong,JW;Hertog,B;Dabiran,AM;Chow,PP;Chernyak,L;Steiner,T;Kao,CJ;Chi,GC
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;P-TYPE ZNO;THIN-FILMS;GROWTH;SAPPHIRE;POLARITY;DEPOSITION;TEMPLATES;MGXZN1-XO;EPILAYERS
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-08 13:28:11 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We report on the fabrication of UV light-emitting diodes (LEDs) based on a p-n junction n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN semiconductor triple-heterostructure. Radio-frequency plasma-assisted molecular beam epitaxy was used to grow the complete heterostructure
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	516	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing