Heteroepitaxial growth of wurtzite InN films on Si(111) exhibiting strong near-infrared photoluminescence at room temperature

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題名:	Heteroepitaxial growth of wurtzite InN films on Si(111) exhibiting strong near-infrared photoluminescence at room temperature
作者:	Gwo,S;Wu,CL;Shen,CH;Chang,WH;Hsu,TM;Wang,JS;Hsu,JT
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	FUNDAMENTAL-BAND GAP;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;HEXAGONAL INN;INDIUM NITRIDE;DEPENDENCE
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-08 13:31:47 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High-quality InN epitaxial films have been grown by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates using a double-buffer technique. Growth of a (0001)-oriented single crystalline wurtzite-InN layer was confirmed by reflection high-e
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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