GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts

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題名:	GaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature-GaN cap layers and ITO metal contacts
作者:	Chang,SJ;Lee,ML;Sheu,JK;Lai,WC;Su,YK;Chang,CS;Kao,CJ;Chi,GC;Tsai,JA
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	OXIDE SCHOTTKY CONTACTS;ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS;N-GAN;DETECTORS
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-08 13:34:32 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Nitride-based metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) with low-temperature (LT) gallium nitride (GaN) cap layers and indium-tin-oxide (ITO) metal contacts were successfully fabricated. It was found that we could achieve three orders of magnit
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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