GaN p-n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN

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题名:	GaN p-n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN
作者:	Lee,ML;Sheu,JK;Yeh,LS;Tsai,MS;Kao,CJ;Tun,CJ;Chang,SJ;Chi,GC
贡献者:	物理研究所
关键词:	LIGHT-EMITTING DIODES;OHMIC CONTACT
日期:	2002
上传时间:	2010-07-08 13:36:35 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Si-28(+) implantation into Mg-doped GaN, followed by thermal annealing in N-2 was performed to achieve n(+)-GaN layers. The carrier concentrations of the films changed from 3 x 10(17) (p-type) to 5 x 10(19) cm(-3) (n-type) when the Si-implanted p-type GaN
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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