GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with transparent indium-tin-oxide Schottky contacts

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题名:	GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors with transparent indium-tin-oxide Schottky contacts
作者:	Chen,CH;Chang,SJ;Su,YK;Chi,GC;Chi,JY;Chang,CA;Sheu,JK;Chen,JF
贡献者:	物理研究所
关键词:	N-GAN;DETECTORS
日期:	2001
上传时间:	2010-07-08 13:38:59 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Indium-tin-oxide (ITO) layers were deposited onto n-GaN films and/or glass substrates by electron-beam evaporation. With proper annealing, we found that we could improve the optical properties of the ITO layers and achieve a maximum transmittance of 98% a
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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