Investigation of the mechanism for Ti/Al ohmic contact on etched n-GaN surfaces

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题名:	Investigation of the mechanism for Ti/Al ohmic contact on etched n-GaN surfaces
作者:	Sheu,JK;Su,YK;Chi,GC;Jou,MJ;Liu,CC;Chang,CM;Hung,WC;Bow,JS;Yu,YC
贡献者:	物理研究所
关键词:	INDUCTIVELY-COUPLED PLASMA;AL
日期:	2000
上传时间:	2010-07-08 13:41:02 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, the mechanism for ohmic contact of Ti/Al bilayer formation on as-grown, etched and postetch annealed GaN surfaces were investigated. A nonalloyed Ti/Al ohmic contact to etched GaN surface, with postetch annealing prior to metal deposition,
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
显示于类别:	[物理研究所] 期刊論文

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