English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41627331      線上人數 : 2273
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/43058


    題名: 三族氮化物奈米線之成長研究與應用(I);Growth Mechanism and Application of III-Nitride Nanowire(I)
    作者: 紀國鐘
    貢獻者: 物理系
    關鍵詞: 物理類
    日期: 2006-07-01
    上傳時間: 2010-12-06 16:16:48 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 近年來,三族氮化物 (Ⅲ-nitrides) 半導體已被廣泛地應用在光電元件上,特別是氮化鎵(GaN)這種寬能隙(Eg=3.4 eV)的半導體材料,可製作藍綠光到紫外光的光電元件,而進一步地,可以擁有極高的單晶(single crystal)品質的一維氮化鎵奈米線(GaN nanowire),因此吸引更多的研究人員注意。在氮化鎵薄膜中,因為沒有晶格匹配的基板,所以成長的磊晶有晶格缺陷及雜質的問題。在材料的物理性質上,仍然無法得到本質的光性與電性知識,但是在氮化鎵奈米線的材料本質上,是很完美的單晶結構,故希望利用光激發光譜(PL)及I-V 量測、SEM、TEM 等,在有效改變不同的參數下(如催化劑種類、不同基板、成長壓力、溫度、流量及時間等等),對氮化鎵本質的成長機制及物理性質做深入探討。在奈米元件之製作上,將利用本校微光電實驗室已建立之研究基礎,利用微影技術(lithography)製成奈米元件(nano-device)來完成極具挑戰性的任務,其中包括,奈米接點問題的深入探討,與製作成奈米線場效電晶體。進一步地,我們將針對紫外光偵測器及氣體感測器的製作與應用來做深入的探討,其中包括對這種一維材料做鎂或矽離子摻雜的分析,利用摻雜不同的離子及濃度來改變其原本的電性及光性,以便可以製做出n-type 或p-type 不同的奈米線,這將有助於對奈米線半導體更多的瞭解及可能之應用。 研究期間:9408 ~ 9507
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[物理學系] 研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML347檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明