English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 65317/65317 (100%)
Visitors : 21314926      Online Users : 192
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/6681


    Title: 氮化鎵藍色發光二極體透明電極之製作與研究
    Authors: 馬景時;Jing-Sh Ma
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 氮化鎵;藍光;發光二極體;;;銦錫氧化膜;歐姆接觸;GaN;blue;LED;Ni;Au;ITO;ohmic
    Date: 2001-07-07
    Issue Date: 2009-09-22 10:25:42 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 在本篇論文中,我們利用電子槍蒸鍍機,蒸鍍非常薄的鎳/金雙層金屬電極在p型氮化鎵上,在不同的條件下做熱處理,完成歐姆接觸,實驗結果發現,當金屬厚度為25 Å/50 Å,在空氣環境下450oC熱處理,特徵接觸電阻值為8.2 ×10-4Ωcm2,利用氧化的方式,可以使鎳氧化成氧化鎳,有助於歐姆接觸的形成,且氧化鎳可提升穿透率,在470nm,穿透率可提升至73﹪。將上述薄膜應用在氮化鎵發光二極體上,在順向偏壓,電流為20mA時,Vf為3.45伏特,發光波長為470nm,半高寬為34nm,發光強度為0.65mW。 由於薄金屬電極有遮光,及電流不易均勻擴散等缺點,因此我們也研究銦錫氧化膜與p型氮化鎵的接觸,但因為銦錫氧化膜為一n型半導體材料,不易形成歐姆接觸,所以我們亦嘗試加入薄金屬改善其接觸特性。 none
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File SizeFormat
    0KbUnknown670View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback  - 隱私權政策聲明