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    Title: 矽離子佈植於p型氮化鎵之特性研究Investigation;of Si-implanted p-type GaN
    Authors: 江博仁;Bo-Ren Jiang
    Contributors: 光電科學研究所
    Keywords: 氮化鎵;離子佈植;implantation;GaN
    Date: 2002-06-26
    Issue Date: 2009-09-22 10:26:31 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本文的實驗是研究矽離子佈值於鎂摻雜p 型氮化鎵的特性研 究,以40keV 、70keV 、150keV 等不同能量及5×10 16 ,5×10 17 ,5×10 18 , 1×10 20 cm -3 等不同佈植濃度,佈植在濃度為3.4 ×10 17 cm -3 之鎂摻雜p 型氮化鎵上,藉以了解矽離子佈植後的氮化鎵試片特性。 在光特性方面,利用拉曼 (Raman) 量測顯示,佈植造成的缺陷 在熱處理過程中會有相互聚集的現象,然後才是缺陷的消除;利用光 激發螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示,矽離子佈植會將原本p 型氮化鎵的藍光發光機制(2.8eV)減弱,而產生黃光放射的發光機制。 在電性方面,由霍爾量測顯示,佈植入的矽離子濃度一旦大於p 型氮化鎵的電洞濃度,便可將試片轉變為n 型的氮化鎵,而且由於佈 植所留下來的傷害影響,電子遷移率會有大幅降低的現象;然後再以 蕭特基二極體做深層能階暫態(deep-level transient spectroscopy)量 測,顯示材料中之原生缺陷(native defect)的變化,所以在高濃度佈植 後轉變為n 型氮化鎵,鎵空缺(gallium vacancy)的缺陷能階因為形成 能降低而增加,說明了材料中補償效用的影響機制。p-type GaN can be converted to n-type by Si + ion implantation. We used AFM, XRD, PL, Raman scattering, Hall, and DLTS measurement to investigate the mechanism of this conversion.
    Appears in Collections:[光電科學研究所] 博碩士論文

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