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    题名: 氧化鋅鋁透明導電膜在氮化鎵上;歐姆接觸特性研究The Study of AZO transparent and conductive ohmic contact to p-GaN
    作者: 胡慶忠;Ching-Chung Hu
    贡献者: 光電科學研究所
    关键词: 透明導電膜;歐姆接觸;氮化鎵;鋁摻雜氧化鋅;氧化鋅鋁;Ohmic contact;GaN;Al-doped ZnO;AZO
    日期: 2005-09-30
    上传时间: 2009-09-22 10:30:35 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文之主題是n-型氮化鎵(n-GaN)與p-型氮化鎵(p-GaN)上之接觸電極研究。在n-GaN 的接觸電極方面, Cr/Au 接觸電極用高溫爐管(Furnace)在氮氣環境下經過400℃熱處理5 分鐘後可得到最低的特徵接觸電阻(specific contact resistivity )。對於作為n-型接觸電極有很大的發展潛力。在p-GaN 的接觸電極方面,以鋁摻雜氧化鋅(AZO)為透明電極材料,雖然AZO 薄膜有不錯的光穿透率,然而在p 型氮化鎵上之接觸特性,卻無法有線性之歐姆接觸特性,因此我們在AZO與p-型氮化鎵間加入一層鎳(Ni)或氧化鎳(NiOx)來降低透明導電膜與p-型氮化鎵之位障,改善了歐姆接觸特性。 在光穿透率上,p-GaN/Ni/AZO 在氮氣環境下經過800℃熱處理後,在可見光波段的穿透率可由70%提升至85%,這可能是因為Ni/AZO 經過熱處理後,介面的Ni 會形成透明的NiO,而使穿透率提升。而所有的NiOx/AZO 在可見光波段都有85%以上的穿透率。而在氮氣環境下經過 800℃熱處理後 Ni/AZO 及NiOx/AZO 的特徵接觸電阻都有不錯的結果.並且與Ni/Au 及ITO 的電阻值相近。而電性的改善可能與介面處NiO 及Ni-Ga合金的形成有關。經過本論文的研究,Ni/AZO 與NiOx/AZO 透明導電膜具有應用於紫外光發光二極體(UV-LED)上的潛力。
    显示于类别:[光電科學研究所] 博碩士論文

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