本論文主要分為兩部分，第一部份為以數學模擬計算的方式來探 討熱處理對氮化銦鎵量子井材料光特性的影響，第二部分的內容為探 討壓電場對氮化銦鎵量子井雷射結構在光特性上的影響。 在過去的文獻當中，有人提出對氮化銦鎵量子井材料做熱處理會 增加其光增益，但也有人提出相反的結果，因此在本論文第一部份的 模擬計算考慮了熱處理（以擴散長度Ld 來表示）及壓電場對量子井 的影響，並分為銦含量為10%和20%兩種情況，經由Fick’s law 解出 V（z）再代入薛丁格方程式，解出其eigenvalues 及eigenfunction，再 代入相關公式最後求出photon energy 與optical gain 在不同熱處理程 度下與current density 的關係。 本論文第二部份是以氮化銦鎵量子井雷射結構的材料為試片，以 optical pumping 的方式來產生stimulated emission，並找出其低溫和室 溫的threshold power density；此外，以不同的N2 laser power density 來量測試片在低溫和室溫的PL，觀察其光譜變化來探討壓電場在低 溫與室溫下的變化。
