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    題名: 熱處理對氮化銦鎵量子井雷射結構之影響與壓電效應之分析;Thermal and piezoelectric effects on the optical properties of InGaN-based quantum well laser structures
    作者: 薛道鴻;Dao-Hung Xue
    貢獻者: 物理研究所
    日期: 2001-07-09
    上傳時間: 2009-09-22 10:52:45 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文主要分為兩部分,第一部份為以數學模擬計算的方式來探 討熱處理對氮化銦鎵量子井材料光特性的影響,第二部分的內容為探 討壓電場對氮化銦鎵量子井雷射結構在光特性上的影響。 在過去的文獻當中,有人提出對氮化銦鎵量子井材料做熱處理會 增加其光增益,但也有人提出相反的結果,因此在本論文第一部份的 模擬計算考慮了熱處理(以擴散長度Ld 來表示)及壓電場對量子井 的影響,並分為銦含量為10%和20%兩種情況,經由Fick’s law 解出 V(z)再代入薛丁格方程式,解出其eigenvalues 及eigenfunction,再 代入相關公式最後求出photon energy 與optical gain 在不同熱處理程 度下與current density 的關係。 本論文第二部份是以氮化銦鎵量子井雷射結構的材料為試片,以 optical pumping 的方式來產生stimulated emission,並找出其低溫和室 溫的threshold power density;此外,以不同的N2 laser power density 來量測試片在低溫和室溫的PL,觀察其光譜變化來探討壓電場在低 溫與室溫下的變化。
    顯示於類別:[物理研究所] 博碩士論文

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