離子佈植技術應用於高亮度發光二極體之設計與製作; The Device Design and Fabrication of High Brightness Light Emitting Diode by Ion Implantation.

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题名:	離子佈植技術應用於高亮度發光二極體之設計與製作;The Device Design and Fabrication of High Brightness Light Emitting Diode by Ion Implantation.
作者:	顏璽軒;Xi-Xuan Yan
贡献者:	物理研究所
日期:	2001-07-09
上传时间:	2009-09-22 10:53:30 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文是採用以磷化鎵作為窗戶層（window layer）的紅光二極體，利用H＋離子佈植技術配合黃光微影技術，製作這不同的電流阻隔層（current blocking），並分別討論其物理與元件特性差異。論文一開始會簡單介紹離子佈植技術與高亮度發光二極體結構，之後論文的研究主題分為以下兩大部分：（1） H＋離子佈植的研究：利用離子佈植劑量與活化條件的不同，製作薄電流阻隔層（H＋：200kev/3E14cm-2）與較厚之電流阻隔層（H＋：150kev/1E14cm-2＋200kev/2E14cm-2），以最佳化後之活化條件（最高溫750℃、停留時間30秒）處理，發現薄電流阻隔層之表面電阻（27.16ohm/sq）與表面載子濃度（6.9E15/cm2）均最佳。直接製作成發光二極體時，薄電流阻隔層之元件的電性（Vf＝2.03V）如預期般較佳，此結果將應用於往後的實驗。（2）比較電流阻隔區與金屬電極之幾何關係：為探討電流擴散效率，以不同尺寸之電流阻隔區與金屬電極相互搭配。我們發現當金屬電極直徑150µm搭配電流阻隔區直徑100µm時，和傳統二極體相比，雖然由於串連電阻的增加使得元件的電性小幅劣化（Vf增加2.5﹪），但元件之發光強度卻大幅增加（mcd值增 i 加41.4﹪）。同時因電流阻隔層造成之串連電阻上升（電阻增加11.36﹪），而可能增加之熱量累積，從元件之電激光譜觀察，光譜之峰值並未因電流阻隔層的存在而產生紅移的現象，且光譜的半高寬也未見增加。可知電流阻隔區在增加元件發光強度之餘，並未嚴重影響二極體發光的波長之單一性，因此大大增加了以離子佈植製作高亮度發光二極體的實用性。
显示于类别:	[物理研究所] 博碩士論文

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