由軸線法及平面法求四面體內部向量及其在三維半導體元件模擬;Finding internal vector from the plane equation and axis method in tetrahedron element for 3D semiconductor Device Simulation

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 博碩士論文 > Item 987654321/77580

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/77580

題名:	由軸線法及平面法求四面體內部向量及其在三維半導體元件模擬;Finding internal vector from the plane equation and axis method in tetrahedron element for 3D semiconductor Device Simulation
作者:	施定國;Shih, Ding-Guo
貢獻者:	電機工程學系
關鍵詞:	軸線法;平面法
日期:	2018-07-05
上傳時間:	2018-08-31 14:48:58 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學
摘要:	在本篇論文中，我們使用重心版模組來開發四面體等校電路模型，此模組能以任意四面體當基本元素，模擬三維的半導體元件；我們主要為開發電場的方法，在三維平面法的開發中，我們克服了以往二維提升至三維所遭遇的維度問題，並且另外開發了軸線法的程式，利用兩種方法做簡單電場驗證且求得我們核心方程式所需之參數，接著驗證電子流、電洞流密度，最後將四面體組成單顆立方體電阻及複數顆電阻做驗證，證實四面體網格之可靠性。;In this thesis, we use barycenter module to develop equivalent circuit model of tetrahedron. This module can be applied to any tetrahedron mesh elements to simulate 3D semiconductor devices. We develop two methods for the internal electric field in each tetrahedron. The two methods include the plane method and the axis method. We solved the difficult problems to use the plane method in 3D application. Additionally, we developed the axis method. The two methods are used for the verification of the electric field, the electron current density, and the hole current density. Finally, we verify the two methods by a 3D resistor which is composed of many tetrahedrons.
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	113	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing

資料載入中.....