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    題名: 帶狀有限二維量子點陣列的熱電性質;Thermoelectric properties of finite two-dimensional quantum dot arrays with band-like electronic states
    作者: 謝長諺;Hsieh, Chang-Yan
    貢獻者: 電機工程學系
    關鍵詞: 熱電材料;二維;量子點陣列;熱電優質;Thermoelectric material;two-dimensional;quantum dot arrays;ZT
    日期: 2021-07-02
    上傳時間: 2021-12-07 12:58:59 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學
    摘要: 功率因數(PF=S^2 G_e)取決於塞貝克係數(S)和電子電導(G_e)。G_e的增強將不可避免地抑制S,因為它們密切相關,所以,PF的優化非常困難。在這裡,我們從理論上研究了帶有從電極注入的載子的二維量子點(QD)陣列的熱電特性,共振穿隧過程中的二維量子點陣列的Lorenz數滿足Wiedemann-Franz定律,此定律證實了微帶的形成。當微帶中心遠離電極的費米能階時,電子傳輸將在熱電子輔助穿隧過程(TATP)中進行,在這種情況下,帶狀情況下的G_e和原子狀情況下的S可以同時發生。我們透過本文證明,隨著電子態數量的增加,G_e的增強不會抑制TATP中的S。;The thermal power (PF=S^2 G_e) depends on the Seebeck coefficient (S) and electron conductance (G_e). The enhancement of G_e will unavoidably suppress S because they are closely related. As a consequence, the optimization of PF is extremely difficult. Here, we theoretically investigated the thermoelectric properties of two-dimensional quantum dot (QD) arrays with carriers injected from electrodes. The Lorenz number of 2D QD arrays in the resonant tunneling procedure satisfies the Wiedemann-Franz law, which confirms the formation of minibands. When the miniband center is far away from the Fermi level of the electrodes, the electron transport is in the thermionic-assisted tunneling procedure (TATP). In this regime, G_e in band-like situation and S in atom-like situation can happen simultaneously. We have demonstrated that the enhancement of G_e with an increasing number of electronic states will not suppress S in the TATP.
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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