中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/8965
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 70548/70548 (100%)
造访人次 : 23120675      在线人数 : 183
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/8965


    题名: 氧化鋁基板上微波功率放大器之研製
    作者: 何建廷;Jian-Ting He
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: 微波;放大器;microwave;amplifier
    日期: 2000-06-14
    上传时间: 2009-09-22 11:38:30 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文主要內容在於微波功率放大器的設計、製作與量測。首先,著重於電路主動元件金半場效應電晶體( MESFET )的直流及高頻參數的量測與等效電路模型之建立,以裨提供應用電路之設計。在被動元件方面,我們利用於氧化鋁基板上製作的高品質因數薄膜被動元件,可以有效降低應用電路之能量損耗,此乃導因於氧化鋁基板高阻值的特性。 運用已建立之主被動元件模型,我們設計了1.9 GHz單級MESFET功率放大器,製作完成後,量測特性結果與模擬值相當吻合,驗證了元件模型的準確度。 最後我們以此為基礎,以MESFET為主動元件,結合平衡器與放大器設計並且製作了1.9 GHz平衡型放大器,輸出功率比單級MESFET功率放大器提昇了一倍。另外,主動元件與薄膜被動元件以接線(wire-bonding)來連接,克服單晶微波積體電路中無法同時達到主、被動元件特性最佳化的問題。良好的增益與特性表現更進一步地顯示MIC電路設計、製作流程的可行性。 此外,在功率放大器的量測方面,除了輸出功率、功率增益、第三階交互調變截斷點( third-order intermodulation intercept point )的量測外,我們亦針對電路做GMSK與π/4 DQPSK的調變訊號量測,觀察其向量誤差百分比( error vector magnitude )之趨勢與特性。
    显示于类别:[電機工程研究所] 博碩士論文

    文件中的档案:

    档案 大小格式浏览次数


    在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈  - 隱私權政策聲明