非晶質氮化矽氫基薄膜發光二極體與有機發光二極體的光電特性

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題名:	非晶質氮化矽氫基薄膜發光二極體與有機發光二極體的光電特性
作者:	黃治平;Zhe-Pin Huang
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	薄膜發光二極體;有激發光二極體;非晶質薄膜
日期:	2000-06-21
上傳時間:	2009-09-22 11:38:46 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本研究可分為兩主要部份。首先，利用附加不銹鋼濾網的電漿助長化學氣相沈積(PECVD)系統，以高能隙的非晶氮化矽氫(a-SiN:H)製作p-i-n薄膜發光二極體，以期元件能同時能擁有較低的臨限電壓及較高的發光亮度。在元件結構方面，元件的p-i及i-n兩介面皆使用相同材料(a-SiN:H)，另外在i-n介面中，為使n+層與鋁電極能形成歐姆性接觸(ohmic contact)而提升元件特性，係採用摻雜梯度能隙結構。在元件製程方面，由於加裝不銹鋼濾網可減少薄膜在沈積時遭電漿轟擊所造成的傷害，故可獲得品質較佳的非晶質膜。完成的元件其發光臨限電壓由未加濾網時的19 V降至15.7 V，而在注入電流密度為4 A/cm2時，發光亮度亦可由54 cd/m2升至100 cd/m2。其發光頻譜峰值波長則由470nm紅移到485nm。本研究的另一主題是結合非晶質薄膜與有機聚合物發光材料研製有機發光二極體(OLED)。元件結構係以P-型非晶質膜取代傳統的聚合物電洞注入層，並以N-型非晶質膜作為電子注入層。僅含P-型非晶矽層的OLED，其臨限電壓為6.21 V，而當電流密度為 600 mA/cm2時，發光亮度可達1383 cd/m2。再沈積N-型非晶矽後的元件，其臨限電壓為8.84 V，發光亮度則降至203 cd/m2。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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