離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體之研究

NCUIR > College of Electrical Engineering & Computer Science > Graduate Institute of Electrical Engineering > Electronic Thesis & Dissertation > Item 987654321/8986

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/8986

Title:	離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體之研究
Authors:	許嘉仁;Yan-Len Hsu
Contributors:	電機工程研究所
Keywords:	離子佈植;砷化鎵金屬半導體場效電晶體;Ion-implantation;MESFET
Date:	2000-06-15
Issue Date:	2009-09-22 11:38:52 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	本論文主要是研究離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體(MESFET)。文中簡單介紹電晶體、離子佈植和相關量測之原理，並詳述各個製程步驟之技術，接著，探討元件的直流、高頻特性與特殊氧植入之元件。在元件之直流特性方面，1.0 mm ’ 50 mm之元件，其汲極飽和電流為215 mA/mm，夾止電壓為 -1.9 V；元件最大轉移電導gm為152 mS/mm。在高頻特性方面，元件偏壓在VDS = 2.0 V，VGS = 0 V時，量測求得電流增益截止頻率(ft)為8 GHz，功率增益截止頻率(fmax)為25 GHz。另外，為了改善元件之崩潰特性與鈍化層的處理，針對表面植入氧之元件進行研究。經由實驗證明，氧的植入確實能有效改善元件之崩潰特性，更可以省略表面鈍化層的製程，但只對於元件之直流和高頻特性帶來了少許的傷害。
Appears in Collections:	[Graduate Institute of Electrical Engineering] Electronic Thesis & Dissertation

Files in This Item:

File	Size	Format

社群 sharing