砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及壓控振盪器設計與製程

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Title:	砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及壓控振盪器設計與製程
Authors:	王瑞慶;Ruan-Qing Wang
Contributors:	電機工程研究所
Keywords:	異質接面雙極性電晶體;變容二極體;本質接面雙極性電晶體;單晶微波積體電路;高頻壓控振盪器;AlGaAs/GaAs;self-aligned;non-self-aligned;MMIC;VCO
Date:	2001-07-05
Issue Date:	2009-09-22 11:41:27 (UTC+8)
Publisher:	國立中央大學圖書館
Abstract:	在本論文中，我們著重的是AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體的製作並討論其特性。在製作的過程中，我們利用材料的晶格方向的蝕刻特性，設計了self-aligned及non-self-aligned兩種不同的製程方式。其中self-aligned的製程中有利於降低基極的電阻及CBC，如此的特性會增加fT及fMAX的頻率響應。 Self-aligned HBT的fT = 34 GHz，fMAX = 30 GHz； Non-self-aligned HBT 的fT = 31 GHz，fMAX = 17.75 GHz。在VCO電路的應用上，利用在製作HBT的過程中基極及集極的p-n接面製作變容二極體，以達成異質接面雙極性電晶體及變容二極體的整合製程。此外HBT比本質接面雙極性電晶體( BJT )元件有更好的頻率響應，如此可設計出在單晶微波積體電路（MMIC）上之高頻壓控振盪器（VCO）。文中介紹了1.8 GHz與5.8 GHz VCO的設計與模擬，並量測 1.8 GHz VCO的量測特性為：Varactor 電壓為0時，輸出的頻率為2.1 GHz，輸出功率為0.43 dBm，相位雜訊為-76 dBc/Hz。
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