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    題名: AlGaAs/GaAs PIN/HBT 光檢器/轉阻放大器之積體化光接收器
    作者: 梁虔碩;Chieh-shuo Liang
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 光接收器;光檢器;轉阻放大器;異質接面雙極性電晶體;光二極體;PIN;HBT;photoreceiver;transimpedance amplifier
    日期: 2001-07-05
    上傳時間: 2009-09-22 11:41:33 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 在本論文中,利用AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體的基極到次集極磊晶結構中所衍生的PIN光二極體,利用一套光罩同時製作了PIN光二極體、AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體和光偵測波長為850nm的2.5 Gb/s PIN/HBT積體化光接收器。 在PIN光二極體的部份考慮到降低接面電容與耦光難易二部份,選擇了適當的元件佈局。在這樣的考量下得到量子效率η=43%,光響應度R= 0.3 A/W。並利S參數的量測和HP-ADS軟體的模擬萃取了PIN光二極體的小訊號模型。並依照小訊號模型的結果選擇-5V作為PIN光二極體的偏壓。 在異質接面雙極性電晶體的部分,本論文中製作了射極面積為3x12μm2和4x12μm2二種尺寸的元件。在相同的電流密度下進行量測得到AE=3x12μm2的AlGaAs/GaAs HBT,fT為28GHz,fmax為16.25GHz。AE=4x12μm2的AlGaAs/GaAs HBT,fT為24.51GHz,fmax為13.45GHz。 論文最後利用前面章節所萃取的元件模型進行了電路的模擬,再依模擬的結果設計了光罩並完成2.5 Gb/s積體化光接收器的製作。轉阻放大器電路低頻增益值為44dBΩ(159Ω),電路的f3dB為3.65GHz。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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