AlGaAs/GaAs PIN/HBT 光檢器/轉阻放大器之積體化光接收器

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 博碩士論文 > Item 987654321/9124

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9124

題名:	AlGaAs/GaAs PIN/HBT 光檢器/轉阻放大器之積體化光接收器
作者:	梁虔碩;Chieh-shuo Liang
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	光接收器;光檢器;轉阻放大器;異質接面雙極性電晶體;光二極體;PIN;HBT;photoreceiver;transimpedance amplifier
日期:	2001-07-05
上傳時間:	2009-09-22 11:41:33 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	在本論文中，利用AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體的基極到次集極磊晶結構中所衍生的PIN光二極體，利用一套光罩同時製作了PIN光二極體、AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體和光偵測波長為850nm的2.5 Gb/s PIN/HBT積體化光接收器。在PIN光二極體的部份考慮到降低接面電容與耦光難易二部份，選擇了適當的元件佈局。在這樣的考量下得到量子效率η=43%，光響應度R= 0.3 A/W。並利S參數的量測和HP-ADS軟體的模擬萃取了PIN光二極體的小訊號模型。並依照小訊號模型的結果選擇-5V作為PIN光二極體的偏壓。在異質接面雙極性電晶體的部分，本論文中製作了射極面積為3x12μm2和4x12μm2二種尺寸的元件。在相同的電流密度下進行量測得到AE=3x12μm2的AlGaAs/GaAs HBT，fT為28GHz，fmax為16.25GHz。AE=4x12μm2的AlGaAs/GaAs HBT，fT為24.51GHz，fmax為13.45GHz。論文最後利用前面章節所萃取的元件模型進行了電路的模擬，再依模擬的結果設計了光罩並完成2.5 Gb/s積體化光接收器的製作。轉阻放大器電路低頻增益值為44dBΩ(159Ω)，電路的f3dB為3.65GHz。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

文件中的檔案:

檔案	大小	格式	瀏覽次數

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing

資料載入中.....