p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響

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題名:	p型披覆層對量子井藍色發光二極體發光機制之影響
作者:	鄭先發;Xian-Fa Zhen
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	發光二極體;量子井
日期:	2001-07-16
上傳時間:	2009-09-22 11:41:35 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	摘要本論文的主要研究方向是想探討成長不同p型披覆層的藍色發光二極體，其量子井中發光強度隨著溫度變化的改變情形。我們所成長的p型披覆層分別為氮化鎵(GaN)、氮化鎵加上氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格加上氮化鎵等不同結構。量測方面，我們利用變溫電激光譜(Electroluminescence, EL)及變溫霍爾量測(Hall Measurement)，來探討其光學特性及電特性之異同及其影響。對於電洞濃度而言，其濃度正比於exp(-EA/kT)，由公式推導可得，p型氮化鎵的活化能為136.6meV、p型氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格的活化能為70.8meV，而對於p型氮化銦鎵，由於受銦分佈不均勻所影響，故其濃度不隨溫度變化而改變，且其電洞濃度高於1019 cm-3。而對於電激光譜強度變化情形，在低溫時，以p型氮化鎵為被覆層的藍色發光二極體，在70K時，跟其他兩片試片相比，其發光強度非常的弱，但隨著溫度慢慢增加時，其發光強度一直增加，這是由於p型氮化鎵的電洞濃度有明顯的改變所致。在高溫下，對於以p型氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格為被覆層的藍色發光二極體，其電激光譜訊號的強度變化有較大幅的下降，除了受到熱擾動的影響外，其強度變化還會受到電洞濃度的影響。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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