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    Title: LDMOS功率電晶體元件設計、特性分析及其模型之建立
    Authors: 呂國培;Kuo-Pei Lu
    Contributors: 電機工程研究所
    Keywords: 高頻模型;高壓元件;LDMOS;MODEL
    Date: 2001-06-19
    Issue Date: 2009-09-22 11:41:37 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本論文利用TMA MEDICI這套軟體模擬元件的結構以及製程參數,得到我們所要的直流參數,並依據此作為製程條件,製作光罩,利用立生半導體製程做出LDMOS,開發出LDMOS製程。其直流特性在崩潰電壓方面可以達到41.3伏特;而在高頻方面,並且利用HP 8510C網路分析儀進行元件的高頻量測,得到元件的高頻參數fT約為5.85GHz,而fmax約為6.1GHz;並且到國家豪微米實驗室量測元件操作900MHz時,輸出功率可以達到511mW/mm,功率增益也達到了16.7dB,在class A式偏壓下功率附加效益達到了49.4%。 而在建立等效模型方面使用HP ADS軟體,萃取出元件參數與對基板的寄生參數;並且使用Level 3模型建立了LDMOS的大訊號模型,不論在直流方面的電流電壓特性,或是高頻S-參數與功率參數的模擬,皆可獲得與量測值接近的特性。 本論文亦針對封裝對於元件所產生的影響,建立一等效模型,利用串聯電感及寄生電阻與電容,模擬封裝對於元件在高頻響應的影響。由本論文設計的LDMOS經由以上的量測與特性分析並建立等效模型,得到LDMOS是適合做高頻以及高壓的元件,可以應用在基地台的功率放大器,或是作為大功率的功率元件,未來的應用範圍相當的寬廣。
    Appears in Collections:[電機工程研究所] 博碩士論文

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