English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 67621/67621 (100%)
Visitors : 23036586      Online Users : 242
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version

    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9333

    Title: 異質接面雙極性電晶體之大訊號模型建立及其在功率放大器之應用;A Large-Signal Model Establishment and Power Amplifier Application of HBTs
    Authors: 蘇碩彬;Shuo-Bing Su
    Contributors: 電機工程研究所
    Keywords: 異質接面雙極性電晶體;大訊號模型;功率放大器;large signal model;power amplifier;HBT
    Date: 2002-06-17
    Issue Date: 2009-09-22 11:45:37 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 在本論文中,利用一回授電流源加在Gummel-Poon本質模型的基射極間模擬異質接面雙極性電晶體的熱效應,且加入元件之寄生效應以建立異質接面雙極性電晶體大訊號等效電路模型,對於直流、交流和非線性特性都能準確的模擬,此模型可以應用於一般實際的微波電路設計。 利用單晶微波積體電路的製程,用InGaP/GaAs HBT設計出一個應用於5.2 GHz WLAN系統的兩級功率放大器,。 利用異質接面雙極性電晶體的基射極接面之二極體配合一並聯電容組合一主動偏壓電路,在不犧牲額外的功率損耗情形下,取代傳統電阻式偏壓方式,設計出一個單級功率放大器,可以改善功率放大器非線性因素—增益壓縮。
    Appears in Collections:[電機工程研究所] 博碩士論文

    Files in This Item:

    File SizeFormat

    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback  - 隱私權政策聲明